Atomic-scale Mechanisms of Defect-Induced Retention Failure in Ferroelectric Materials
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Direct observations of retention failure in ferroelectric memories.
Nonvolatile ferroelectric random-access memory uses ferroelectric thin films to save a polar state written by an electric field that is retained when the field is removed. After switching, the high energy of the domain walls separating regions of unlike polarization can drive backswitching resulting in a loss of switched domain volume, or in the case of very small domains, complete retention loss.
متن کاملAtomic - Scale Computational Materials Science
ÐAn overview on methodology and leading-edge applications of atomistic computational materials science based on quantum mechanical concepts is presented.
متن کاملStructural Materials: Understanding Atomic-Scale Microstructures
725 Abstract With the ability to locate and identify atoms in three dimensions, atom-probe tomography (APT) has revolutionized our understanding of structure-property relationships in materials used for structural applications. The atomic-scale details of clusters, second phases, and microstructural defects that control alloy properties have been investigated, providing an unprecedented level o...
متن کاملmorphology, geochemistry, mineralogy, and micromorphology of soils of hormozgan province in relation to parent materials
ویژگی های زمین شیمیایی، کانی شناسی، و میکرومورفولوژیکی خاک ها و سنگ مادر مربوطه در منطقه بین بخش های جنوبی زاگرس و خلیج فارس تا دریای عمان(استان هرمزگان، ایران) مورد بررسی قرار گرفت. هدف های این مطالعه شناسایی تغییرات در خصوصیات فیزیکی، شیمیایی، و ترکیب کانی شناسی خاک، مطالعه میکرومورفولوژی و تکامل خاک، و بررسی توزیع عنصر خاک بر اساس هوازدگی، پروسه های خاک و زمین شناسی جهت توصیف اثرات مواد مادر...
15 صفحه اولAtomic-scale diffusion mechanisms via intermediate species
We theoretically investigate the relationship between impurity diffusion profiles and the underlying atomicscale diffusion mechanisms that occur via intermediate species in elemental semiconductors. We focus particularly on diffusion regimes characterized by short versus long diffusion times and low versus high transport capacities. Based on analytic derivations and numerical simulations, we sh...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Microscopy and Microanalysis
سال: 2015
ISSN: 1431-9276,1435-8115
DOI: 10.1017/s1431927615007321